IMEC研究出全球最小适用于5nm工艺的SRAM芯片，中国还在开发量产14nm工艺的时候国外已经开发研究出了5nm工艺的SRAM芯片，IMEC,全称为Interuniversity Microelectronics Centre, 微电子研究中心. IMEC成立于1984年,目前是欧洲领先的独立研究中心,研究方向主要集中在微电子，IMEC是全球知名的半导体研发中心，IMEC宣布了一项新的技术，制造了全球最小的SRAM芯片，面积缩小了24%，可适用于未来的5nm工艺。
除IBM、英特尔、台积电、三星具有强大的半导体工艺研发技术实力之外，IMEC作为全球最先进、独立、开放式微电子纳米研究中心，国内的14nm工艺就是于他们合作开发的。
三星在今年2月份的国际会议上宣布的6T 256Mb SRAM芯片，面积只有0.026mm2，不过IMEC联合Unisantis公司开发的新一代6T 256Mb SRAM芯片打破了这个记录，核心面积只有0.0184到0.0205mm2，相比三星的SRAM微缩了24%。
面积能大幅缩小的原因就在于使用了新的晶体管结构，Unisantis与IMEC使用的是前者开发的垂直型环绕栅极（Surrounding Gate Transistor，简称SGT）结构，最小栅极距只有50nm。研究表明，与水平型GAA晶体管相比，垂直型SGT单元GAA晶体管面积能够缩小20-30%，同时在工作电压、漏电流及稳定性上表现更佳。
目前IMEC正在跟Unisantis公司一起定制新工艺的关键工艺流程及步骤，通过一种新颖的工艺协同优化DTCO技术，研发人员就能使用50nm间距制造出0.0205mm2的SRAM单元，该工艺能够适用于未来的5nm工艺节点。
此外，该工艺还能使用EUV光刻工艺，减少工艺步骤，从而使得设计成本与传统FinFET工艺相当。
